霍爾效應測試儀—高低溫磁場型本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。霍爾效應測試系統(tǒng) 半導體測試

產(chǎn)品概述：

本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。 實驗結(jié)果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。霍爾效應測試系統(tǒng) 半導體測試

可測試材料: 

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。

技術指標:

*  電磁鐵磁場：10mm間距為2T 、 30mm間距為1T

*  樣品電流：0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

*  測量電壓：0.1uV~30V

*  提供各類測試標準材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

*  分辨率極小值：0.1GS

*  磁場范圍：0-1T

* 配合高斯計或數(shù)采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

*  霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)隨溫度的變化曲線

* 電阻率范圍：5*10^-5～5*10²Ω.cm

*  電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

*  載流子濃度：5*10¹²～51*10²⁰cm^-3

* 霍爾系數(shù)：±1*10^-2～±1*10⁶cm³/C

*  遷移率：0.1~10⁸cm²/volt*sec

*  溫度調(diào)節(jié) 0.1K

*  溫區(qū)：78K-475K,室溫-773K（選配）

*  測試全自動化，一鍵處理

*  可實現(xiàn)相同溫差間的連續(xù)測量